特許

J-GLOBAL ID：200903066269927050

強誘電体記憶素子

発明者： 伊藤 康幸 ,  濱田 和之 ,  牛久保 真帆
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-108000
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304299
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：

【要約】【目的】 非破壊読み出しが可能な強誘電体不揮発メモリを得ることを目的とする。【構成】 ソ-ス領域2及びドレイン領域3を備えた基板上に、前記領域をまたぐように薄い絶縁保護膜4、下部電極5、強誘電体薄膜6及び上部電極7を順に積層し、下部電極及び上部電極にそれぞれ電圧印加手段をもうけてなる強誘電体記憶素子において、上部電極と下部電極にそれぞれ別の電圧印加手段が設けられ、それぞれ別の駆動電圧パルスを印加して駆動する。

請求項（抜粋）：

一方の導電形のバルク半導体材料からなる基板と、該基板の表面層に十分に接近させた間隔をおいて形成された、該基板とは反対の導電形の2つの領域と、これら2つの領域をまたぐように該基板の表面に形成された薄い絶縁保護膜と、該薄い絶縁保護膜上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された強誘電体薄膜と、該強誘電体薄膜上に形成された上部電極とからなる強誘電体記憶素子において、該下部電極と該上部電極とにそれぞれ別の電圧印加手段を設けたことを特徴とする強誘電体記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-247715   出願人：ローム株式会社