特許
J-GLOBAL ID：200903021954455273
リフトオフ方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268220
公開番号（公開出願番号）：特開平10-115934
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】ウェットエッチングに適さない薄膜のパターン形成を膜質への影響のなく実施できるリフトオフ方法を提供する。【解決手段】リフトオフ方法において、下層膜F2を、上層膜F1を構成する材料のバンドギャップより小さいバンドギャップの材料から構成し、下層膜を前記所定パターンの逆パターンに形成した後、上層膜を成膜し、少なくとも下層膜と上層膜の2層部分に、前記両材料のバンドギャップの中間のエネルギーの光子のレーザー光L を照射し、下層膜を下地から剥離させることとする。図は多色EL発光素子の場合であり、1aは基板、2aは第1電極層、3aは第1絶縁層、 4d は発光層である。
請求項（抜粋）：
下地側の下層膜とその上の上層膜からなる2層薄膜の下層膜を下地から剥離させることにより、下層膜と上層膜とを除去して、少なくとも上層膜と同じ薄膜を所定のパターンに形成するリフトオフ方法において、下層膜と上層膜とを、上層膜を構成する材料のバンドギャップより小さいバンドギャップの材料から構成し、下層膜を前記所定パターンの逆パターンに形成した後、上層膜を成膜し、少なくとも下層膜と上層膜の2層部分に、前記両材料のバンドギャップの中間のエネルギーの光子のレーザー光を照射し、下層膜を下地から剥離させることを特徴とするリフトオフ方法。
IPC (2件)：
G03F 7/26 513
, H05B 33/10
G03F 7/26 513
, H05B 33/10
