特許

J-GLOBAL ID：200903021961404196

プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法

発明者： 有田 潔 ,  土師 宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343909
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173995
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 効率よく低コストで均一なエッチング加工を行うことができるプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】 処理室5内に上部電極6と対向して配置された下部電極3上に被処理基板7を載置してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、処理室5内に酸素とフッ素ガスを含む混合ガスを供給し、電極間距離L[m]と処理室5内の混合ガスの放電圧力P[Pa]の積PLが、良好なエッチングレートを与える範囲である2.5[Pa・m]〜15[Pa・m]の範囲の値となる条件下で、この上下電極間でプラズマ放電を行わせるようにした。これにより、低コスト・高効率のプラズマエッチングを行うことができる。

請求項（抜粋）：

処理室内に対向して配置された平行平板電極の一方の電極上に被処理基板を載置してプラズマエッチング処理を行うプラズマエッチング装置であって、前記処理室内に酸素とフッ素系ガスを含む混合ガスを供給するガス供給手段を有し、前記電極間距離L[m]と前記処理室内の混合ガスの圧力P[Pa]の積PLが、2.5[Pa・m]〜15[Pa・m]の範囲の値となる条件下で、この平行平板電極間でプラズマ放電を行うことを特徴とするプラズマエッチング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M

Fターム (43件)：

4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DB20 ,  4K057DD03 ,  4K057DE06 ,  4K057DE07 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DE10 ,  4K057DE20 ,  4K057DG08 ,  4K057DG16 ,  4K057DG20 ,  4K057DM02 ,  4K057DM03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM08 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA07 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DA20 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭61-256728
  
• 被膜形成装置および被膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-190030   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭61-256728
  
• 特開昭61-256728
  
• 特開昭61-256728