特許

J-GLOBAL ID：200903021966193843

光半導体集積回路の製造方法

発明者： ▲濱▼本 貴一 ,  松本 卓
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-117706
公開番号（公開出願番号）：特開平8-292336
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 1回の結晶成長工程により、波長組成差の大きい複数の結晶成長層を形成しうるようにする。【構成】 n-InP基板11上に対となる選択的結晶成長用マスク22を、複数対マスク幅を異ならせて形成する(図には1対のマスクのみを示す)。n-InP基板11上に、成長圧力を500Torr以上とした有機金属気相成長法により、n-InGaAsP層12、n-InPスペーサ層13、下部SCH層(光閉じ込め層)14、MQW層15、上部SCH層16、InPクラッド層17を順次選択的に成長させる〔図4(a)〕。マスク22を除去し、InP埋め込み層18を形成する〔図4(b)〕。

請求項（抜粋）：

(1)半導体基板上に誘電体膜を堆積する工程と、(2)前記誘電体膜を選択的に除去して、所定の幅の空隙を隔て所定の幅の対となるストライプ状誘電体膜からなるマスクを複数個形成する工程と、(3)前記マスクの空隙部に、成長圧力が500Torr以上の気相成長法により半導体コア層を選択的に成長させる工程と、(4)前記マスクの空隙部を広げるか、前記マスクを除去し再び誘電体膜を堆積しストライプ状誘電体膜に加工するか、あるいは、前記マスクを除去した後、前記半導体コア層を包囲する埋め込み層を形成する工程と、を含む光半導体集積回路の製造方法。

IPC (5件)：

G02B 6/13 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/14 ,  H01L 27/15 ,  H01S 3/18

FI (5件)：

G02B 6/12 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/15 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 27/14 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-056643   出願人：日本電気株式会社
• 半導体光集積素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042831   出願人：株式会社日立製作所