特許
J-GLOBAL ID：200903021970885474
半導体用電極の製造方法及びこれを用いた太陽電池
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-080033
公開番号（公開出願番号）：特開2009-238824
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】複雑な工程を必要とすることなく確実かつ選択的に不純物拡散領域を形成し、このような不純物拡散剤層を含む電極を製造する方法を提供すること。【解決手段】半導体基板上に不純物拡散剤層を形成する工程と、レーザーを使用して前記不純物拡散剤層を選択的に加熱し、加熱した部分の不純物拡散剤を前記半導体基板内に拡散させる工程と、前記不純物拡散剤層を除去する工程と、を有する電極の製造方法による。前記不純物拡散剤はIII族元素の化合物又はV族元素の化合物を含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
半導体基板上に不純物拡散剤層を形成する工程と、
レーザーを使用して前記不純物拡散剤層を選択的に加熱し、加熱した部分の不純物拡散剤を前記半導体基板内に拡散させる工程と、
前記不純物拡散剤層を除去する工程と、を有する電極の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F051AA02
, 5F051BA14
, 5F051CB20
, 5F051CB27
