特許
J-GLOBAL ID:200903021973171693

薄膜磁気ヘッドの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 阿部 美次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-184439
公開番号(公開出願番号):特開2001-014613
出願日: 1999年06月29日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】ギャップ膜対向面に備えられる高飽和磁束密度の磁性膜の膜厚を厚くしても、再付着の問題を、殆ど生じることのない薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】ギャップ膜24の表面に、一次パターンを有する高飽和磁束密度の第1の磁性膜221を形成する。第1の磁性膜221を形成する工程は、一次パターンが、最終パターンよりも大きく、かつ、端縁がフレームメッキ法に用いられるフレーム内に納まるパターンとなるように形成する工程を含む。
請求項(抜粋):
記録ポール部を含む薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、前記記録ポール部は、第1のポール部と、前記第1のポール部に隣接するギャップ膜と、前記ギャップ膜に隣接する第2のポール部とを含み、前記第2のポール部は、第1の磁性膜と、第2の磁性膜とを含み、前記第1の磁性膜は前記第2の磁性膜よりも高い飽和磁束密度を有し、前記ギャップ膜に隣接しており、前記第2の磁性膜は前記第1の磁性膜に隣接しており、前記製造方法は、前記第1のポール部及び前記ギャップ膜を形成した後、前記ギャップ膜の表面に、一次パターンを有する前記第1の磁性膜を形成し、次に、フレームメッキ法によって前記第2の磁性膜を形成し、次に、前記第1の磁性膜及び前記第2の磁性膜を、最終パターンとなるようにエッチングする工程を含み、前記第1の磁性膜を形成する工程は、前記一次パターンが、前記最終パターンよりも大きく、かつ、端縁が前記フレームメッキ法に用いられるフレーム内に納まるパターンとなるように形成する工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
IPC (2件):
G11B 5/31 ,  G11B 5/39
FI (2件):
G11B 5/31 K ,  G11B 5/39
Fターム (7件):
5D033BA08 ,  5D033BA13 ,  5D033BB43 ,  5D033DA04 ,  5D033DA07 ,  5D033DA08 ,  5D034BA02
引用特許:
審査官引用 (2件)

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