半導体光変調器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-134704
公開番号（公開出願番号）：特開平9-318918
出願日： 1996年05月29日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【目的】光吸収層が量子井戸構造である電界吸収型光変調器において、低駆動電圧化および、オン/オフ比(消光比)の拡大を図る。【構成】光吸収層に量子井戸構造を導入した、電界吸収型光変調器において、1つの量子井戸内において、電子親和力と価電子帯上端のエネルギーが、積層方向で、一方が増加し他方が減少する様なポテンシャル構造とし、ビルトイン電界を打ち消す構造を提供するものであるため、無バイアス時の吸収ピークが狭くなり低駆動電圧化と消光比の拡大を実現する。

請求項（抜粋）：

量子井戸構造を有する光吸収層がpin層構造のi層部に位置する電界吸収型半導体光変調器において、1つの井戸層中の電子親和力がp側に向かって増加するとともに価電子帯上端のエネルギーがp側に向かって減少することを特徴とする半導体光変調器。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-231665 出願人：富士通株式会社

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