特許

J-GLOBAL ID：200903021994304235

金属系膜のエッチング方法

発明者： 高岡 裕二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-156482
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004084
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 塩素系ガスを用いたドライエッチングでは、レジストマスクとの選択性が低いため、レジストマスクがエッチングされ、異方性に優れた金属系膜のパターンが得られなかった。【解決手段】 第1工程で、基板11上の金属系膜12上にレジスト膜21を形成した後、リソグラフィー技術によって該レジスト膜21をパターニングしてレジストパターン22を形成し、第2工程で、フルオロカーボン系のガスを用いたプラズマ処理によって、レジストパターン22の表面に保護膜23を形成した後、第3工程で、保護膜23を形成したレジストパターン22をエッチングマスクに用いて、金属系膜12をエッチングすることにより、異方性に優れたエッチングを達成する。

請求項（抜粋）：

基板上の金属系膜上にレジスト膜を形成した後、リソグラフィー技術によって該レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成する第1工程と、フルオロカーボン系のガスを用いたプラズマ処理によって前記レジストパターンの表面に保護膜を形成する第2工程と、前記保護膜を形成したレジストパターンをエッチングマスクに用いて前記金属系膜をエッチングする第3工程とを備えたことを特徴とする金属系膜のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/265 Q

引用特許：

審査官引用 (5件)

• エッチング方法及び配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-105725   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平3-174724
  
• 特開昭60-057630
  
• 特開平3-174724
  
• 特開昭60-057630