特許
J-GLOBAL ID：200903022018258977
静止摩擦を低減し微細加工表面を不動態化するウェハレベル処理のための方法およびそれに使用する化合物
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-557083
公開番号（公開出願番号）：特表2003-522415
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2003年07月22日
要約：
【要約】本発明は、微細加工された構造に、それらがまだウェハの形を取っている間に(すなわち、それらをパッケージ内に組み込むために離散デバイスに分割する前に)、耐久性静止摩擦防止表面を形成するための方法を開示する。この方法は低静止摩擦表面を形成するための材料の蒸着を含む。それはまた、チップに静止摩擦防止性を与えるのに効果的な化学薬品をも開示する。これらはポリフェニルシロキサン、シラノール基を末端に持つフェニルシロキサン、および同様の材料を含む。
請求項（抜粋）：
ウェハに由来するチップにおける微細加工デバイスに静止摩擦防止性を与えるための方法であって、a.前記ウェハを有機シリコン化合物と共に炉内に配置するステップと、b.前記炉内に任意選択的に真空を形成し、かつ炉内の雰囲気を窒素などの不活性ガスと任意選択的に置換するステップと、c.前記有機シリコンの少なくとも一部が蒸発する温度まで前記炉を加熱するステップと、d.前記炉を冷却し、前記ウェハを取り出すステップと、e.前記ウェハをチップに任意選択的に切断するステップとを含む方法。
Fターム (6件)：
5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BF11
, 5F058BF27
, 5F058BF80
, 5F058BJ01
