特許
J-GLOBAL ID：200903022039944722
磁気メモリ・セル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247566
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100153
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 磁気メモリ・セルの予測可能な切換挙動の原因となる端領域内のランダムな向きの磁化パターンを除去し、安定化した磁気メモリを提供する。【解決手段】磁気メモリ・セル40は、変更可能な磁界を記憶するデータ記憶層50と、磁化方向がピン留めされた基準層54と、トンネル障壁52とを有する。磁気メモリ・セル40は、さらに、データ記憶層50の両側の縁に近い一対の端領域57および58の磁化方向をピン留めする安定化材料55および56の層を有する。データ記憶層50の磁化容易軸はx軸と平行である。安定化材料55および56は、端領域57および58の磁化方向を実質上y軸と平行な向きにピン留めする。また、安定化材料55および56は、層50〜54の縁の絶縁を提供し、磁気メモリ・セル40に対する読み書きアクセスを提供するために使用される導体への電気的結合を防ぐ。
請求項（抜粋）：
内部領域と、データ記憶層(50)の一対の対向した縁近くに一対の端領域(57および58)とを有するデータ記憶層(50)と、前記データ記憶層(50)の上面において前記端領域(57および58)に重なり、前記端領域(57および58)の磁化を所定の方向にピン留めし、磁気メモリ・セルに絶縁層を提供することによって磁気メモリ・セルを安定化する安定化材料(55および56)と、備えることを特徴とする磁気メモリ・セル。
引用特許：
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