特許
J-GLOBAL ID:200903022048721221
電子源基板および画像形成装置ならびにそれらの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
若林 忠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-202431
公開番号(公開出願番号):特開平9-050760
出願日: 1995年08月08日
公開日(公表日): 1997年02月18日
要約:
【要約】【課題】 配線形成時に素子電極の短絡を防止して、それを画像形成装置に用いた場合に画素欠陥を低減させ、高い画質の画像を得る。【解決手段】 上下の配線を絶縁層を介して配列し、その交差部に電子放出素子を配置した単純マトリクス型配置の電子源基板を作製する際に、両配線の交差部以外は中央部が開口している帯状絶縁層上に上側の配線を形成する。
請求項(抜粋):
基板上に一対の素子電極を含む電子放出素子複数個を、絶縁層を介して直交する複数の第1層の配線と複数の第2層の配線の交差する位置に配設する電子源基板の製造方法において、1)基板上に複数の素子電極対を形成する工程、2)第1層の配線を形成する工程、3)該第1層の配線と前記素子電極対の一方の素子電極(第1の素子電極)を接続する工程、4)帯状絶縁層であって前記第1層の配線と交差する部分(連結部)およびその近傍以外の中央部分が開口している絶縁層を、第2層の配線を形成する位置に形成する工程、5)前記帯状絶縁層上に該絶縁層の幅以下の幅を有する第2層の配線を形成する工程、6)前記第2層の配線と、前記第1の素子電極に対向する素子電極(第2の素子電極)とを接続する工程、7)前記素子電極対に基づいて電子放出素子を形成する工程を含むことを特徴とする電子源基板の製造方法。
IPC (3件):
H01J 9/02
, H01J 1/30
, H01J 31/12
FI (3件):
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 B
, H01J 31/12 C
引用特許:
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