多層回路基板及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：眞鍋潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-228942
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046260
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】多層回路基板及びその製造方法に関し、多層回路基板にコンデンサを搭載することなく、高周波ノイズを良好に抑止できるようにする為、多層回路基板の層間絶縁層を誘電体層とするキャパシタに於けるキャパシタンスを容易に増大させることができるようにし、回路の高密度化及び微細化を進めることを可能にする。【解決手段】ポリイミド・フィルム14をグランド層13と電源層15とで挟み且つそれ等を覆うガラスエポキシ絶縁層11からなる積層構造を含む多層回路基板。

請求項（抜粋）：

ポリイミド・フィルムをグランド層と電源層とで挟み且つそれ等を覆う樹脂絶縁層からなる積層構造が含まれてなることを特徴とする多層回路基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 , H05K 3/38

FI (5件)：

H05K 3/46 T , H05K 3/46 G , H05K 3/46 Z , H05K 3/38 A , H05K 3/38 B

Fターム (18件)：

5E343AA17 , 5E343AA18 , 5E343BB24 , 5E343BB67 , 5E343GG13 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA32 , 5E346CC09 , 5E346CC10 , 5E346CC32 , 5E346DD12 , 5E346EE06 , 5E346EE09 , 5E346EE13 , 5E346EE19 , 5E346HH06 , 5E346HH24

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-290495
メモリモジュールの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-127090 出願人：日立化成工業株式会社, 株式会社日立製作所
特開昭63-265494

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審査官引用 (5件)

特開平4-290495
メモリモジュールの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-127090 出願人：日立化成工業株式会社, 株式会社日立製作所
特開昭63-265494

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