特許
J-GLOBAL ID：200903022082876838

半導体装置

発明者：
船久保 信昭

船久保 信昭 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-315304
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124602
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子を含む電気回路を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置1は、少なくとも一つの半導体素子を含む電気回路と、前記電気回路と電気的に接続している電気伝導性の材料からなる接触部と該接触部を保護する保護部とを有し、前記接触部は前記保護部の表面に形成する開口部から所定深さの内側に設けられており、該開口部から内側に向って断面が凹部形状である複数の接続端子2と、前記電気回路と前記複数の接続端子とを収納している絶縁性ケース3とからなる。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つの半導体素子を含む電気回路と、前記電気回路と電気的に接続している電気伝導性材料からなる接触部と該接触部を保護する保護部とを有し、前記接触部は前記保護部の表面に形成する開口部から所定深さの内側に設けられており、該開口部から内側に向って断面が凹部形状である複数の接続端子と、前記電気回路と前記複数の接続端子とを収納している絶縁性ケースとからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/28 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L 23/28 J ,  H01L 25/04 C
Fターム (5件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109DA10 ,  4M109DB10 ,  4M109GA02
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220521   出願人：株式会社東芝
  • 特開平1-202845

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