特許
J-GLOBAL ID:200903022090897011

強磁性体、磁気抵抗効果素子、および原子レベル素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-182096
公開番号(公開出願番号):特開平11-026233
出願日: 1997年07月08日
公開日(公表日): 1999年01月29日
要約:
【要約】【課題】 原子レベルの構造や近接する電極により磁性特性を制御でき、また、原子層に埋め込むことにより不純物吸着から磁性特性を保護でき、微小化した場合にも自発磁化が消失しない強磁性体を提供すること。【解決手段】 STM等を用いた原子レベル微細加工技術を利用して、非磁性の基板2の基板表面3に適切な原子レベル配列1を構成し、さらに、非磁性の保護層4によりこの原子レベル配列1を埋め込んだ。このとき、原子レベル配列1をその状態密度においてフェルミ準位近傍に状態密度のピークが現れるように制御することにより強磁性を発現させる。
請求項(抜粋):
基板上に少なくとも非磁性原子を原子サイズで配列した構造からなる原子サイズ配列を有し、前記原子サイズ配列は、非磁性原子からなる保護層により埋め込まれ、フェルミ準位近傍に状態密度のピークが出現する原子集団を基本単位とすることを特徴とする強磁性体。
IPC (2件):
H01F 10/00 ,  G11B 5/39
FI (2件):
H01F 10/00 ,  G11B 5/39
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-093207
  • 磁気記録媒体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-243785   出願人:日本電信電話株式会社
  • 特開平2-104635
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