特許
J-GLOBAL ID：200903022104358909

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
菅原 秀人

菅原 秀人 について

, 
新田 康一

新田 康一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066736
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257379
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 安定した白色等の混色発光を可能とした半導体発光素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体積層体1は、サファイア基板104と、これに成長形成された下部GaNクラッド層106、青色発光層であるGaN/InGaN-MQW層107、及び上部GaNクラッド層108を含む。半導体積層体2は、GaAs基板101に成長形成された黄色発光層であるInAlP/InGaAlP多層膜102とコンタクト層103を含む。これらの積層体1,2は接着され、青色発光層からの放射1と、青色光により励起された黄色発光層からの放射2とが混成して白色光を出力する。
請求項（抜粋）：
電流注入により光放射する第1の発光層を含む第1の半導体積層体と、前記第1の発光層の出力光により励起されて光放射する第2の発光層を含む第2の半導体積層体とを有し、前記第1及び第2の半導体積層体は接着されて一体化され、前記第1及び第2の発光層の放射光を混成して出力することを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 F
Fターム (8件)：
5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F041CB28 ,  5F041FF11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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