特許
J-GLOBAL ID：200903022111247241
多結晶シリコンの製造方法とその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259479
公開番号（公開出願番号）：特開2002-220219
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 多結晶シリコンの製造の際、反応ガス供給手段の出口表面にシリコンが析出・堆積するのを防止する。【解決手段】 本発明は、流動層反応器を用いて反応ガスを供給しながらシリコン粒子を流動させて粒子形態の多結晶シリコンを量産するにおいて、塩化水素を含むエッチングガスを反応ガス供給手段の表面に注入することによってシリコンが析出されて堆積されるのを有効に防ぎ、反応器を連続的に運転することを可能とする多結晶シリコンの製造方法及び装置を提供する。
請求項（抜粋）：
流動層反応器で反応ガスを供給しながらシリコン粒子を流動させて多結晶シリコンを製造する方法において、流動層反応器の反応ガス供給手段の表面に塩化水素を含有するエッチングガスを注入することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
Fターム (11件)：
4G072AA01
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072GG05
, 4G072HH01
, 4G072NN01
, 4G072RR11
, 4G072UU01
, 4G072UU03
審査官引用 (2件)
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粒状ポリシリコンの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-314860
出願人：株式会社トクヤマ
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特開平2-279513
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