特許

J-GLOBAL ID：200903022114073953

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 竹井 美智子 ,  脇野 有希子 ,  大堀 達也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-134657
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326898
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 薄膜半導体装置の製造方法に関し、薄膜半導体装置に設けるゲート電極等の電極を精度良く形成する。【解決手段】 透明基板1上にアモルファスシリコン層を堆積させ、核形成物質を添加したのち熱処理を施すことによって多結晶シリコン層2に変換し、次いで、多結晶シリコン層2を多結晶シリコンパターン4にエッチングしたのち、少なくとも、次の成膜工程の前に、核形成物質を含むエッチング残渣5を除去するエッチング処理を行う。

請求項（抜粋）：

透明基板上にアモルファスシリコン層を堆積させ、核形成物質を添加したのち熱処理を施すことによって多結晶シリコン層に変換し、次いで、前記多結晶シリコン層を多結晶シリコンパターンにエッチングしたのち、少なくとも、次の成膜工程の前に、前記核形成物質を含むエッチング残渣を除去するエッチング処理を行うことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G09F 9/30 338

FI (4件)：

H01L 29/78 627 C ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 627 Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162701   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162701   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所