特許
J-GLOBAL ID：200903022120071660
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-399423
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204028
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の加工精度および生産効率を高めること。【解決手段】 半導体レーザ素子は、半導体基板2の上面に、下側クラッド層3、活性層4、上側クラッド層5、順メサ形成層30、コンタクト層9、絶縁膜6が形成されている。また、上側クラッド層5、順メサ形成層30、コンタクト層9、絶縁膜6は、エッチングによりリッジ12をなしている。さらに、半導体基板2の下面に負電極1が形成され、半導体レーザ素子の上面には正電極7が形成されている。
請求項（抜粋）：
多層膜構造のリッジ部を有する半導体装置において、前記リッジ部は、前記リッジ部の底部を形成する第1の半導体層と、前記リッジ部の上部を形成し、前記第1の半導体層の第1のエッチング速度に比して遅い第2のエッチング速度をもつ第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成され、前記第1のエッチング速度に比して遅く、かつ前記第2のエッチング速度に比して速いエッチング速度をもつ第3の半導体層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
Fターム (5件)：
5F073AA13
, 5F073CA05
, 5F073CB02
, 5F073DA23
, 5F073EA29
