半導体レーザ装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大岩増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048304
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250801
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】クラッド層とコンタクト層とのエッチングレートの差により生じる両者の間の段差を緩和し、レーザ特性の劣化を防止し、信頼性の高いリッジ型半導体レーザ装置とその製造方法を提供する【構成】 p-Al0.5Ga0.5As第2クラッド層6とp-GaAs第1コンタクト層8の間に、両者の中間的なアルミ組成を有するp-Al0.25Ga0.75Asエッチングバッファ層7を挿入する。エッチングバッファ層7は、有機酸・過酸化水素溶液に対してはアルミ組成比依存性により第1コンタクト層8と第2クラッド層6の中間的なエッチングレートを有するため、各層間でのエッチングレート差が従来より小さくなり、滑らかな側面の形状のリッジ構造が再現性良く形成できる。

請求項（抜粋）：

クラッド層とコンタクト層の間にエッチングバッファ層を有するリッジ型導波路を備え、上記エッチングバッファ層のアルミ組成比が、上記クラッド層とコンタクト層のそれぞれのアルミ組成比の中間的な値であることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

可視光半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-126951 出願人：三洋電機株式会社
特開平1-093191

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