特許
J-GLOBAL ID：200903022124764415
マスクパターンの補正方法、露光用マスク、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-345908
公開番号（公開出願番号）：特開2006-154404
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】光学的に孤立した孤立パターンの存在を出来る限り無くし、所望の線幅等を有するマスクパターンをフォトレジストに転写することを可能とするためのマスクパターンの補正方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程において用いられる露光用マスクに形成すべきマスクパターンの補正方法にあっては、マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分11を有する孤立パターン10を抽出し、孤立パターン10の孤立部分11と平行に延び、且つ、終端部51A,51Bを有する隣接パターン50A,50Bにおいて、孤立パターン10の孤立部分11が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターン10の孤立部分11に隣接して、終端部51A,51Bから延びる延長部分53A,53Bを設ける。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造過程におけるリソグラフィ工程において用いられる露光用マスクに形成すべきマスクパターンの補正方法であって、
マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、
孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設けることを特徴とするマスクパターンの補正方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20
, H01L 21/027
G03F1/08 D
, G03F7/20 504
, H01L21/30 502P
, H01L21/30 541J
2H095BA01
, 2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H095BC09
, 2H097CA16
, 2H097LA03
, 2H097LA10
, 5F056CA02
