特許
J-GLOBAL ID：200903022125302954
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-006321
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203463
出願日： 2004年01月14日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】 適正に動作可能な初期抵抗値を有するペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を備えてなる不揮発性記憶素子を用いて構成される不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 不揮発性記憶素子10は、下部電極7と可変抵抗体8と上部電極9を順番に積層して構成され、可変抵抗体8が結晶と非結晶の混在した状態で成膜され、不揮発性記憶素子10が形成されている。更に好ましくは、可変抵抗体8が350°C〜500°Cの範囲内の成膜温度で成膜された一般式Pr1-xCaxMnO3で表されるプラセオジウム・カルシウム・マンガン酸化物である。または、可変抵抗体8が、非結晶状態或いは結晶と非結晶の混在した状態となる成膜温度で成膜された後に、成膜温度より高温で、且つ、可変抵抗体8が結晶と非結晶の混在した状態を維持可能な温度範囲でアニール処理されて形成される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を有する可変抵抗素子を備えてなる不揮発性半導体記憶装置であって、
前記可変抵抗体が結晶と非結晶の混在した状態で成膜されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 B
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA44
, 5F083JA60
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
