特許
J-GLOBAL ID：200903022126005457
位相シフトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343544
公開番号（公開出願番号）：特開2001-027799
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【課題】 モリブデン-シリコンの酸窒化物のような位相シフトマスク材料からなる被膜のエッチング終了後における下地である石英基板表面のエッチングを低減して表面荒れや凹凸の発生を抑制した位相シフトマスクの製造方法を提供するものである。【解決手段】 石英基板上にモリブデン-シリコンの酸化物、モリブデン-シリコンの窒化物、モリブデン-シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
石英基板上にモリブデン-シリコンの酸化物、モリブデン-シリコンの窒化物、モリブデン-シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
