特許
J-GLOBAL ID：200903084602713118
ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181539
公開番号（公開出願番号）：特開平10-069064
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 モリブデンシリサイドなど金属シリサイド系のハーフトーン位相シフトマスクの製作において、CDと位相差を独立に制御でき、CDと位相差が共に満足した値の高精度なマスクを得ることができるハーフトーン位相シフトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】 レジストパターン33aをマスクとするドライエッチングでMoSiN膜パターン32aを形成した後、位相差とCDを測定し、位相差は満足できるが、CDは設計値に近づける必要があるときは、位相差はそのままでCDのみ調整されるようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追加する。
請求項（抜粋）：
透明基板上に所定の位相シフト量と透過率を有する半透光膜を形成し、この半透光膜をレジストパターンをマスクにドライエッチングして半透光膜パターンを形成する工程と、前記工程の結果得られた位相差または線幅が許容範囲を越えたときに、その越えた要件のみが調整されて許容範囲内となるようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追加する工程とを具備することを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
