放射線検出装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山下穣平 , 志村博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-363544
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129715
出願日： 2003年10月23日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】蛍光体からの変換光の内、短波長側の変換光を効率よく光電変換層に入射させ、また、光電変換素子はより高波長側の入射光に感度を持たせる。【解決手段】放射線信号を光に変換する蛍光体と、光を電気信号に変換する光電変換素子とスイッチTFTとから構成される画素が複数配列された放射線検出装置において、前記光電変換素子の活性層の光入射側にはキャリアブロッキング層としてSiXC(1-X)(0.4≦X≦0.8)半導体層が接続されている。また、前記光電変換素子の活性層は少なくともSiXGe(1-X)(0.6≦X<1)半導体を用いている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

放射線信号を光に変換する蛍光体と、光を電気信号に変換する光電変換素子とスイッチTFTとから構成される画素が複数配列された放射線検出装置において、前記光電変換素子の活性層の光入射側にはキャリアブロッキング層としてSiXC(1-X)(0.4≦X≦0.8)半導体層が接続されていることを特徴とする放射線検出装置。

IPC (4件)：

H01L31/09 , G01T1/20 , H01L27/14 , H04N5/32

FI (6件)：

H01L31/00 A , G01T1/20 E , G01T1/20 G , H04N5/32 , H01L27/14 K , H01L27/14 D

Fターム (33件)：

2G088EE01 , 2G088EE30 , 2G088FF02 , 2G088GG10 , 2G088GG19 , 2G088GG20 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088LL15 , 4M118AA01 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CA06 , 4M118CA07 , 4M118CB05 , 4M118CB11 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118GA10 , 5C024AX12 , 5C024CX41 , 5C024GX07 , 5C024GX09 , 5F088AA01 , 5F088AA03 , 5F088AB05 , 5F088BA01 , 5F088DA01 , 5F088DA15 , 5F088HA15 , 5F088KA03 , 5F088LA07

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許第5619033号明細書
特許第3066944号公報
米国特許第6075256号明細書

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