特許
J-GLOBAL ID：200903022170591916
トレンチ技術を使用したフィ-ルド結合型パワ-MOSFETバスア-キテクチャ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019040
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284174
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 トレンチ技術を使用した改良したパワーMOSFETバスアーキテクチャを提供する。【解決手段】 マスク製造プロセスを減少させるためにトレンチ技術を使用したパワー金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)装置を提供する。本パワーMOSFET装置は、従来同様の装置を製造する場合に必要とされていたマスク数より少ない数のマスクを使用して形成した複数個のゲートトレンチを具備するゲート信号バスを有している。トレンチの二次元挙動が有益的な電界結合効果を与え、それがゲートポリシリコン下側において一般的に使用される二酸化シリコンからなる厚い層を必要とすることなしにホットキャリヤの発生を抑圧する。パワーMOSFETの製造において容易に制御可能なシリコントレンチエッチングを使用することによって、安定であり低コストで且つ歩留りの高い製造技術が得られる。
請求項（抜粋）：
金属・酸化物・半導体(MOS)構成体において、(a)上表面と内側領域とを具備する基板が設けられており、前記上表面はその中に位置されている複数個のトレンチを有しており且つ前記内側領域へ向かって延在しており、(b)前記複数個のトレンチの中でその壁の上及び前記基板の前記上表面の上の両方に一様に酸化物層が位置されており、(c)前記酸化物層の上に表面構成体が形成されており、前記複数個のトレンチ内へ延在している前記表面構成体の部分によって複数個のゲートが形成されている、ことを特徴とするMOS構成体。
引用特許：
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