特許
J-GLOBAL ID:200903022172779033
太陽電池素子
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-073058
公開番号(公開出願番号):特開2003-273377
出願日: 2002年03月15日
公開日(公表日): 2003年09月26日
要約:
【要約】【課題】 半田盛りによってセル割れが発生することを解消でき、且つ特性の低下を招くことなく最小限の工程で製造できる太陽電池を提供する。【解決手段】 半導体基板の一主面側と他の主面側に異なる導電領域を形成して、一主面側に表面電極を形成するとともに、他の主面側に帯状の電極取出部とこの電極取出部以外の部分に形成された集電極部とから成る裏面電極を形成した太陽電池素子であって、上記帯状電極取出部を長手方向および/または短手方向に複数に分割すると共に、この分割した電極取出部の周辺部が上記集電極部上に位置するように形成した。
請求項(抜粋):
半導体基板の一主面側と他の主面側に異なる導電領域を形成して、一主面側に表面電極を形成するとともに、他の主面側に帯状の電極取出部とこの電極取出部以外の部分に形成された集電極部とから成る裏面電極を形成した太陽電池素子において、前記帯状電極取出部を長手方向および/または短手方向に複数に分割すると共に、この分割した電極取出部の周辺部が前記集電極部上に位置するように形成したことを特徴とする太陽電池素子。
Fターム (12件):
5F051AA02
, 5F051BA17
, 5F051CB20
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051EA02
, 5F051EA11
, 5F051FA10
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051FA22
, 5F051GA04
引用特許:
審査官引用 (5件)
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太陽電池素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-229397
出願人:京セラ株式会社
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太陽電池素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-161508
出願人:京セラ株式会社
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太陽電池素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-195880
出願人:京セラ株式会社
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太陽電池素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-392772
出願人:京セラ株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-142377
出願人:三菱電機株式会社
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