特許
J-GLOBAL ID：200903022219590600
キャパシタの製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-167195
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070249
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】半球型のグレ-ン膜を備える半導体装置のキャパシタ製造方法を提供する。【解決手段】キャパシタの下部電極にド-ピング濃度の低いシリコン層を形成してHSGを形成した後に、そのHSGを熱処理するか、HSGに導電性不純物をイオン注入することにより、HSGのド-ピング濃度を高める。これにより、キャパシタのキャパシタンスを増加させると共にキャパシタのキャパシタンスの最小/最大の比(C′値)を高める。
請求項（抜粋）：
HSG(半球型のグレーン膜)を有する半導体装置のキャパシタ製造方法であって、(a)半導体基板にフィールド酸化膜を形成して前記半導体基板の全面を活性領域とフィールド領域とに区分する段階と、(b)前記半導体基板の全面に前記活性領域の一部を露出させるコンタクトホールを含む層間絶縁膜を形成する段階と、(c)前記層間絶縁膜上に前記コンタクトホールを埋め込むドーピングされた第1物質層を形成する段階と、(d)前記第1物質層上に、該第1物質層よりドーピング濃度の低い第2物質層を形成する段階と、(e)前記第1及び第2物質層をパタニングして第1及び第2物質層パターンを形成する段階と、(f)前記第1物質層パターンには第1HSG膜を形成し、前記第2物質層パターンには前記第1HSG膜とは表面積の異なる第2HSG膜を形成する段階と、(g)前記第2HSG膜のドーピング濃度を高める段階と、を含むことを特徴とする半導体装置のキャパシタ製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
