特許
J-GLOBAL ID:200903022239136469

表面処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野口 武男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-083838
公開番号(公開出願番号):特開2001-271168
出願日: 2000年03月24日
公開日(公表日): 2001年10月02日
要約:
【要約】【課題】高速且つ高品質に表面処理が可能な表面処理装置を提供する。【解決手段】表面処理装置(1) のケーシング(2) はプラズマ発生領域(3) と基板支持台(9) を備えた基板処理領域(4) との間にプレート部材(6) が介装されている。同プレート部材(6) はプラズマ発生電極であるアノード電極としても機能する。このプレート部材(6) にはプラズマ吹出口(7) が形成されており、同プラズマ吹出口(7) をホローアノード放電の発生域としている。
請求項(抜粋):
プラズマ発生手段、原料ガス導入口、及び基板支持台を備えたケーシング内に、前記プラズマ発生手段によりプラズマを発生させて原料ガスをプラズマ化し、前記基板支持台上に載置された基板表面をプラズマ処理する表面処理装置であって、前記プラズマ発生手段を備えたプラズマ発生領域と前記基板支持台を備えた基板処理領域との間に、一以上のプラズマ吹出口を有するプレート部材が介装されており、少なくとも一の前記プレート部材は一以上のホロー放電発生域を有してなることを特徴とする表面処理装置。
IPC (4件):
C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (4件):
C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 B
Fターム (16件):
4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030KA18 ,  4K030KA34 ,  5F004AA16 ,  5F004BA06 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03 ,  5F045AA08 ,  5F045BB09 ,  5F045EB02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH06 ,  5F045EH13
引用特許:
審査官引用 (5件)
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