特許
J-GLOBAL ID：200903022244105539
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053433
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263550
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の多層配線において、第一配線に対し自己整合的に形成する金属柱を簡便な工程で形成して、超微細な配線間の接続を容易に行う。【構成】配線に用いる金属膜の所定領域に酸素あるいは窒素の元素を含む層を形成し、当金属膜のドライエッチングにおいて当酸素あるいは窒素の元素を検出した時点で当金属膜のドライエッチングを停止する工程を有し、当金属膜に配線のパターンと共に所望の金属の柱パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
金属膜の膜厚所定領域に酸素元素あるいは窒素元素を含む層を形成する工程と、前記金属膜のドライエッチングにおいてエッチングが進行し前記金属膜の膜厚所定領域の前記層に達した時点で前記酸素あるいは窒素を検出し前記ドライエッチングを停止する工程とを有することを特徴とした半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
H01L 21/90 B
, H01L 21/302 E
