特許
J-GLOBAL ID：200903022249646481
バリア膜の成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160329
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354468
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 高アスペクト比の穴あるいは溝のボトムとサイドにバリア膜を成膜できる成膜方法を提供すること。【解決手段】 真空容器11と、プラズマビーム発生器13と、真空容器内に配置され、蒸発物質としてTiまたはTaあるいはTiNもしくはTaN、あるいはSi、W、Nbのうちの少なくとも1種を微量含んだTiまたはTaあるいはTiNもしくはTaNを収容している陽極としての主ハース30と、該主ハースの周囲に環状の永久磁石35とコイル36とから成る補助陽極31とを備え、前記主ハースに対向して配置した基板41にTiNあるいはTaNによるバリア膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
成膜室を規定する真空容器と、該真空容器に取り付けられたプラズマ源と、前記真空容器内に配置され、蒸発物質を収容している陽極と、該陽極の周囲に環状の永久磁石と電磁石コイルとから成る磁場発生機構とを備え、前記蒸発物質としてTiまたはTaあるいはTiNもしくはTaN、あるいはSi、W、Nbのうちの少なくとも1種を微量含んだTiまたはTaあるいはTiNもしくはTaNを用い、反応性ガスとしてN2 を全ガス流量の1%以上導入することにより、前記陽極に対向して配置した基板にTiNまたはTaNをバリア膜として成膜することを特徴とするバリア膜の成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285
, C23C 14/32
, H01L 21/203
, H05H 1/24
H01L 21/285 S
, C23C 14/32 Z
, H01L 21/203 Z
, H05H 1/24
