特許
J-GLOBAL ID：200903022277827289
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-234060
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054275
出願日： 2004年08月11日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】バンプを介して半導体チップと実装基板または半導体チップ同士を接続する際、ボンディング工程中にバンプの接触状態および接合状態を検査可能な半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関するものである。【解決手段】複数のバンプ11が設けられた半導体チップ10と複数のバンプ21が設けられた半導体チップ20とを、バンプ11,21側を対向させて半導体チップ10と半導体チップ20とを離間した状態で対向配置した後、半導体チップ10に向けて半導体チップ20を押圧することで、対向するバンプ11,21を接触させる第1工程と、バンプ11,21を接合する第2工程とを有し、全ての工程について半導体チップ20に係る荷重をモニタリングすることで、バンプ11,21の接触状態および接合状態を検査することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体製造装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の電極部が設けられた第1の基板と第2の基板とを、少なくとも一方の基板の電極部に設けられたバンプを介して積層状態に実装する半導体装置の製造方法であって、
前記電極部側を対向させて前記第1の基板と前記第2の基板とを離間した状態で対向配置した後、前記第1の基板に向けて前記第2の基板を押圧することで、対向する前記バンプ同士または前記バンプと前記電極部とを接触させる第1工程と、
前記バンプ同士または前記バンプと前記電極部とを接合する第2工程とを有し、
全ての工程について前記第1の基板または前記第2の基板に係る荷重をモニタリングすることで、前記バンプ同士または前記バンプと前記電極部との接触状態および接合状態を検査する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/60
, H01L 25/18
, H01L 25/07
, H01L 25/065
H01L21/60 311Q
, H01L21/60 321Y
, H01L25/08 B
5F044LL01
, 5F044LL04
, 5F044RR00
, 5F044RR03
