特許

J-GLOBAL ID：200903022279950606

半導体発光素子

発明者： 堺 和夫 ,  長尾 康之 ,  西村 公佐
出願人/特許権者： 国際電信電話株式会社
代理人 (1件)： 大塚 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-265574
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097505
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】良好なオーム性接触を有する短波長帯の半導体発光素子を提供する。【構成】p型で禁制帯幅が2.5eV以上の第1の半導体を含む層構造が半導体基板上に形成された半導体発光素子において、該第1の半導体と金属電極との間に、p型で禁制帯幅の異なる少なくとも2種類の半導体よりなる多層超薄膜が形成され、該2種類の半導体の内第2の半導体は第3の半導体に比べて電子親和力および禁制帯幅が共に大きくかつ該多層超薄膜内のポテンシャル井戸における正孔に対する最低エネルギー準位は該金属電極より遠ざかるにつれて高くなるとともに、該多層超薄膜の平均的格子定数は第1の半導体の格子定数にほぼ等しくなるように該多層超薄膜各層の厚さが設定され、さらに第2の半導体による層は正孔がトンネル効果により伝導可能な厚さを有することを特徴とする構成を有している。

請求項（抜粋）：

p型で禁制帯幅2.5eV以上の第1の半導体を含む層構造が半導体基板上に形成された半導体発光素子において、該第1の半導体と金属電極との間に、p型で禁制帯幅の異なる少なくとも2種類の半導体よりなる多層超薄膜が形成され、該2種類の半導体の内第2の半導体は第3の半導体に比べて電子親和力および禁制帯幅が共に大きくかつ該多層超薄膜内のポテンシャル井戸における正孔に対する最低エネルギー準位は該金属電極より遠ざかるにつれて高くなるとともに、該多層超薄膜の平均的格子定数は第1の半導体の格子定数にほぼ等しくなるように該多層超薄膜各層の厚さが設定され、さらに第2の半導体による層は正孔がトンネル効果により伝導可能な厚さを有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭63-240084
  
• 特願平2-289499
  出願番号：特願平2-289499  
• 特開平3-091270
  
• 特開平3-071679
  
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-185821   出願人：ソニー株式会社