高誘電率誘電体膜、MOS型電界効果トランジスタ、及び半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉村俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-417636
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183422
出願日： 2003年12月16日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】金属元素の外方拡散を抑制し易い高誘電率誘電体膜を提供する。【解決手段】少なくとも酸素原子とハフニウム原子とを構成元素とするハフニウム化合物に、ハフニウムよりも高い価数を有する金属元素をドーピングすることによって、解決した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも酸素原子とハフニウム原子とを構成元素とするハフニウム化合物に、ハフニウムよりも高い価数を有する金属元素がドーピングされた誘電体からなることを特徴とする高誘電率誘電体膜。

IPC (5件)：

H01L21/316 , C01G27/02 , C23C14/08 , H01B3/12 , H01L29/78

FI (5件)：

H01L21/316 B , C01G27/02 , C23C14/08 J , H01B3/12 309 , H01L29/78 301G

Fターム (67件)：

4G048AA03 , 4G048AB04 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 4K029AA06 , 4K029BA35 , 4K029BA43 , 4K029BB02 , 4K029BB08 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BF06 , 5F058BF12 , 5F058BH01 , 5F058BH15 , 5F058BJ01 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140AC38 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE02 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE15 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG27 , 5F140BG44 , 5F140BJ01 , 5F140BJ23 , 5F140BK20 , 5F140BK25 , 5F140CB01 , 5G303AA10 , 5G303BA03 , 5G303CA01 , 5G303CB10 , 5G303CB21 , 5G303CB30 , 5G303CB33 , 5G303CB36 , 5G303CB37 , 5G303CB40 , 5G303CB43

引用特許：

出願人引用 (1件)

ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-142471 出願人：シャープ株式会社

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