特許
J-GLOBAL ID：200903021851310595

ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法

発明者：
ヤンジュン マー

ヤンジュン マー について

, 
ヨシ オノ

ヨシ オノ について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-142471
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033320
出願日： 2001年05月11日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 さらなる元素を既存のhigh-k誘電体材料に加えることによって、電子親和力を含むhigh-k誘電体材料の電気的特性を制御した、high-k誘電体材料を提供すること。【解決手段】 二酸化シリコンに対して、高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜が、a)ドーピング金属と、b)ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなる群から選択される金属と、c)酸素とを含むことにより、高誘電体膜が形成される、薄膜。
請求項（抜粋）：
二酸化シリコンに対して、高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜が、a)ドーピング金属と、b)ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなる群から選択される金属と、c)酸素と、を含むことにより、高誘電体膜が形成される、薄膜。
IPC (12件)：
H01L 21/316 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/58 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (10件)：
H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 Y ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/58 A ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 444 A
Fターム (65件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC16 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  4K030AA01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F048AC03 ,  5F048BB04 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF17 ,  5F058BF24 ,  5F058BF32 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F083FR05 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F101BA62 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH16 ,  5F140AA19 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BG01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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