特許
J-GLOBAL ID：200903022290013070
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252520
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116060
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明はソース電極およびドレイン電極と半導体部との間で良好なコンタクトを取れるようにできるとともに、ソース電極とドレイン電極の材料選択のみでnチャネル型とpチャネル型を基板上に容易に作成できる電解効果トランジスタの提供を目的とする。【構成】 本発明は、基板41上に、ソース電極45とドレイン電極46とこれらに対向されたゲート電極42とが形成されてなる電界効果トランジスタであって、前記ソース電極45とドレイン電極46との間に半導体部44が介在され、ソース電極45とドレイン電極46とゲート電極42とがいずれも絶縁膜43を介して対向配置されるとともに、前記半導体部44のゲート電極側にゲート電極42の電位により生成されるチャネルを生じさせるチャネル生成部44’が形成され、このチャネル生成部44’の端部が前記ドレイン電極45およびソース電極46に直接接続されてなるものである。
請求項（抜粋）：
基板上に、ソース電極とドレイン電極とこれらに対向されたゲート電極とが形成されてなる電界効果トランジスタであって、前記ソース電極とドレイン電極との間に半導体部が介在され、ソース電極とドレイン電極とゲート電極とがいずれも絶縁膜を介して対向配置されるとともに、前記半導体部のゲート電極側にゲート電極の電位により生成されるチャネルを生じさせるチャネル生成部が形成され、このチャネル生成部の端部が前記ドレイン電極およびソース電極に直接接続されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
引用特許：
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