特許
J-GLOBAL ID：200903022323117593
マスク製造のための近接効果補正方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077796
公開番号（公開出願番号）：特開平11-202470
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】電子線露光技術用のマスク製造のために、電子ビーム近接効果補正方法と光近接効果補正方法とを統合した近接効果補正方法を提供する。【解決手段】 マスク上にパターンを形成するコンピュータエイデッド設計データ集を用意し、準備された所望パターンに応じて、マスク領域を複数の第1及び第2の領域区域に区分する。第1の領域区域にはパターンの部分が含まれるが、第2の領域区域にはパターンは全く含まれていない。パターン密度と光コントラストは共に0%(光を完全吸収)から100%(光を全反射)まで変わる。パターン密度は電子ビーム近接効果に関係し、光コントラストは近接効果に関係するので、これら両者により電子ビーム露光量を調節して、電子ビーム及び光の各近接効果が補正されたパターンが得られる。この補正パターンを用いて適正な電子ビーム露光によりマスクを形成する。
請求項（抜粋）：
以下の工程からなるフォトマスク製造における近接効果補正方法:フォトマスク上に形成するパターンを準備する工程;前記マスクを複数の領域区域に分ける工程;この工程においては、各領域区域におけるパターン密度と光コントラストデータから、電子ビーム近接効果及び光近接効果を補正するための電子ビームの必要な光照度を計算し、これによって、補正されたパターンを形成すること;及び前記補正されたパターンを用いて、電子ビーム露光操作を行い、フォトマスクを製造する工程。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, H01J 37/305
, H01L 21/027
, G03F 7/20 504
G03F 1/08 B
, H01J 37/305 B
, G03F 7/20 504
, H01L 21/30 502 P
