ミラートロンスパッタ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤本昇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-033886
公開番号（公開出願番号）：特開2001-226770
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年08月21日
要約：

【要約】【課題】一つのターゲットに対する総エロージョン量を増やすことで、該ターゲットの交換頻度を少なくすると共に、反応性スパッタにおいても、安定したスパッタを持続させて、成膜を円滑に行なうことができる対向ターゲット式スパッタ装置を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、真空容器1内に、一対のターゲット9,9が間隔をおいて対向配置されると共に、それぞれのターゲット9の背面側に、該ターゲット9,9間に磁場空間Hを形成するための磁石12が配置され、さらに、該ターゲット9,9間の側方に、前記磁場空間Hに臨んで基板22が配置されてなるミラートロンスパッタ装置において、前記磁場空間Hが、周辺部では磁束密度が高く、中央部では磁束密度が低い磁場分布を有してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

真空容器(1)内に、一対のターゲット(9,9)が間隔をおいて対向配置されると共に、それぞれのターゲット(9)の背面側に、該ターゲット(9,9)間に磁場空間(H)を形成するための磁石(12)が配置され、さらに、該ターゲット(9,9)間の側方に、前記磁場空間(H)に臨んで基板(22)が配置されてなるミラートロンスパッタ装置において、前記磁場空間(H)が、周辺部では磁束密度が高く、中央部では磁束密度が低い磁場分布を有してなることを特徴とするミラートロンスパッタ装置。

Fターム (4件)：

4K029BA47 , 4K029CA05 , 4K029DC40 , 4K029DC43

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭58-189370
特開昭60-234969
特開平4-329875

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