基板処理装置及び基板処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：影井俊次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-126235
公開番号（公開出願番号）：特開平10-057877
出願日： 1997年05月01日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：

【要約】【目的】基板に対するプロセス処理を正確に行い、この処理時に処理液が基板の裏面側に回り込むのを防止できるようにする。【構成】基板10を基板回転手段11により回転駆動する間に、第1の供給手段24の現像液供給ノズル26から現像液を基板10の表面10aに供給して、遠心力の作用で全体が均一になるように塗布し、次いで洗浄液供給ノズル27により洗浄液を供給して、基板10の表面10aを洗浄乃至リンスを行った後に、高速スピン乾燥させるが、現像液の塗布時には基板10の裏面10b側に保護液膜を形成し、またスピン乾燥時には裏面10b側の全体を確実に乾燥させるために、裏面10b側に純水を供給し、またスピン乾燥時には裏面10bの回転中心部分に窒素ガスを供給するために、窒素ガスを供給する内管64と純水を供給する外管65とからなる二重管からなるノズル手段63を設ける。

請求項（抜粋）：

基板を水平状態に保持して回転駆動する基板回転手段と、この基板回転手段により回転する基板の表面に少なくとも1種類の処理液を供給するノズル部材を、前記基板に対向配設する作動位置と、この基板の上部を開放する退避位置とに変位可能なアームに取り付けた処理液供給手段と、この基板の裏面側に流体を供給するノズル手段とを備えた基板処理装置。

IPC (6件)：

B05C 11/08 , B05D 1/40 , H01L 21/027 , H01L 21/304 351 , H05K 3/06 , H05K 3/26

FI (6件)：

B05C 11/08 , B05D 1/40 A , H01L 21/304 351 S , H05K 3/06 Q , H05K 3/26 A , H01L 21/30 569 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-172646 出願人：富士ゼロックス株式会社
レジスト塗布装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-141058 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-032448 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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