特許
J-GLOBAL ID：200903022350374980
半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-342801
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109291
出願日： 2003年10月01日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】光閉じ込め効果を損ねず、フェイスダウン実装でも、埋め込み膜と保護膜との密着性を確保し、高性能及び高信頼性の半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【解決手段】第1導電型半導体層12、活性層15及び第2導電型半導体層16が積層された積層半導体層と、第1導電型半導体層12に接続された第1電極13、14と、第2導電型半導体層16に接続された第2電極19b、21bと、第2導電型半導体層16の上面であって、第2電極19bとの接続領域以外の領域に形成された埋め込み膜18と、積層半導体層の側面を被覆し、埋め込み膜18よりも実質的に厚膜の保護膜17bとを備える半導体レーザ素子であって、保護膜17bが、埋め込み膜18と同一材質の膜を含んで形成され、かつ積層半導体層の側面から第2導電型半導体層16上に配置する埋め込み膜18の端部を被覆するように形成されてなる半導体レーザ素子。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層が積層された積層半導体層と、
前記第1導電型半導体層に接続された第1電極と、
前記第2導電型半導体層に接続された第2電極と、
前記第2導電型半導体層の上面であって、前記第2電極との接続領域以外の領域に形成された埋め込み膜と、
前記積層半導体層の側面を被覆し、前記埋め込み膜よりも実質的に厚膜の保護膜とを備える半導体レーザ素子であって、
前記保護膜が、埋め込み膜と同一材質の膜を含んで形成され、かつ前記積層半導体層の側面から第2導電型半導体層上に配置する埋め込み膜の端部を被覆するように形成されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA30
, 5F073DA35
, 5F073EA14
, 5F073EA28
, 5F073EA29
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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