窒化物半導体レーザダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-086536
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284801
出願日： 1997年04月04日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【目的】窒化物半導体レーザの放熱性を向上させて、しきい値の上昇を抑制し、寿命特性を向上させる。【構成】窒化物半導体層に形成された電極上に電極と電気的に接触し表面に凹凸を有する形状のp型のパット電極21及び22と、n-パット電極14を設けてなる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体層に形成された電極上に電極と電気的に接触し表面に凹凸を有する形状のパット電極を設けてなることを特徴とする窒化物半導体レーザダイオード。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

出願人引用 (3件)

審査官引用 (1件)

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