特許

J-GLOBAL ID：200903022353383247

半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、および化学機械研磨方法

発明者： 内倉 和一 ,  元成 正之 ,  服部 雅幸 ,  川橋 信夫
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003340
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196336
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 十分に平坦化された良好なダマシン配線を形成しうる半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、及びそれを用いる化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】 化学機械研磨用水系分散体は、銅膜、バリアメタル膜、並びに絶縁膜を同一条件により研磨した場合に、上記銅膜の研磨速度(RCu)と上記バリアメタル膜の研磨速度(RBM)との比(RCu/RBM)が0.5〜2であり、上記銅膜の研磨速度(RCu)と上記絶縁膜の研磨速度(RIn)との比(RCu/RIn)が0.5〜2であることを特徴とする。化学機械研磨方法は、上記の化学機械研磨用水系分散体を用いる。

請求項（抜粋）：

銅膜、バリアメタル膜、並びに絶縁膜を同一条件により研磨した場合に、上記銅膜の研磨速度(RCu)と上記バリアメタル膜の研磨速度(RBM)との比(RCu/RBM)が0.5〜2であり、上記銅膜の研磨速度(RCu)と上記絶縁膜の研磨速度(RIn)との比(RCu/RIn)が0.5〜2であることを特徴とする半導体装置の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/00

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 C ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/00

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-112947   出願人：株式会社トクヤマ