特許
J-GLOBAL ID：200903022367052227
MEMSスイッチ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高松 猛
, 市川 利光
, 橋本 公秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-353010
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209625
出願日： 2004年12月06日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】 製造が容易かつ微細で、十分なON/OFF静電容量変化比を得ることができるMEMSスイッチを提供する。 【解決手段】 基板46と、前記基板表面に形成された導電性梁42と、前記基板表面に形成され、前記導電性梁に対向する位置に配置された3層構造梁B1,B2とを備えるMEMSスイッチであって、前記3層構造梁は、第1の導電体層38,40、第2の導電体層30,32、及び前記第1の導電体層と前記第2の導電体層に挟まれた誘電体層34,36を含み、前記第1の導電体層は、前記導電性梁42に対向しており、前記導電性梁42及び前記3層構造梁の少なくとも一方が、前記基板46に平行な面上で静電力によって変位して前記導電性梁42と前記第1の電極38,40が接触可能であり、前記導電性梁42と前記第1の導電体層が接触時に、前記導電性梁42と前記第2の導電体層30,32との間で導電路が形成されることを特徴とする。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板表面に形成された導電性梁と、
前記基板表面に形成され、前記導電性梁に対向する位置に配置された3層構造梁とを備えるMEMSスイッチであって、
前記3層構造梁は、第1の導電体層、第2の導電体層、及び前記第1の導電体層と前記第2の導電体層に挟まれた誘電体層を含み、
前記第1の導電体層は、前記導電性梁に対向しており、
前記導電性梁及び前記3層構造梁の少なくとも一方が、前記基板に平行な面上で、静電力により変位して前記導電性梁と前記第1の導電体層が接触可能であり、
前記導電性梁と前記第1の導電体層が接触時に、前記導電性梁と前記第2の導電体層との間で導電路が形成されるMEMSスイッチ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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