ドライエッチングの後処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006474
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195377
出願日： 1995年01月19日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】配線を形成する際のドライエッチングによって生じた堆積物の除去を完全に行なうことができるように改良された、ドライエッチングの後処理方法を提供することを目的とする。【構成】ウエハの上に形成された下地酸化膜8の上に被加工物層7を形成する。被加工物層7の上に、所定の形状を有するレジストパターン16を形成する。レジストパターン16をマスクにして、被加工物層7をドライエッチングする。レジストパターン16を除去する。ウエハに向けて、氷粒子4または液滴を噴射し、これによって、堆積物9を除去する。

請求項（抜粋）：

ウエハの上に被加工物層を形成する工程と、前記被加工物層の上に所定の形状を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして、前記被加工物層をドライエッチングする工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記ウエハに向けて、氷粒子を噴射する工程と、を備えたドライエッチングの後処理方法。

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-227399 出願人：ソニー株式会社
特開平4-188828
特開平4-128390

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