特許

J-GLOBAL ID：200903022384346366

金または金合金膜のエッチング方法

発明者： 村田 博志 ,  真田 研一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-121267
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333911
出願日： 1993年05月24日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 Alを含有するIII-V族化合物半導体基板表面に形成された金または金合金膜を、半導体基板へのダメージなくエッチングし、電極を形成することを目的とする。【構成】 金または金合金膜のエッチング液としてシアン化カリウムと有機酸化剤の混合液を用いる。【効果】 本発明のエッチング液は、金または金合金膜とは良好に反応するが、Alを含有する半導体基板とは反応しないので半導体基板表面にダメージを与えることが無い。このため、保護膜等にかかる工数を省くことが出来、かつ製品の特性および良品率が格段に向上できる。

請求項（抜粋）：

アルミニウム(Al)を含有するIII-V族化合物半導体基板表面に形成された金または金合金膜をシアン化カリウムと有機酸化剤の混合液を用いてエッチングする金または金合金膜のエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/40 ,  C23F 1/44

引用特許：

審査官引用 (2件)

• エツチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-177351   出願人：三菱電線工業株式会社
• 特開昭61-133390