特許
J-GLOBAL ID：200903022393408790

プラズマCVD装置

発明者：
竹田 智彦

竹田 智彦 について

, 
石田 丈繁

石田 丈繁 について


出願人/特許権者：
国際電気株式会社

国際電気株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-137710
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332004
出願日： 1999年05月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】プラズマCVD装置に於いて、膜厚分布、成膜速度といった成膜特性の変動原因を解明し、成膜、クリーニングの繰返しによっても成膜特性が変動しない様にする。【解決手段】真空容器1内に対向して設けられた一対の電極2,3間に高周波電力を印加して放電を行い、導入されたガスを分解して基板5上に膜形成を行うプラズマCVD装置に於いて、少なくともカソード電極の表面を弗化物ガラスで被覆し、電極からの2次放出電子特性が、膜形成しようとする物質の2次放出電子特性と略同等とする。
請求項（抜粋）：
真空容器内に対向して設けられた一対の電極間に高周波電力を印加して放電を行い、導入されたガスを分解して基板上に膜形成を行うプラズマCVD装置に於いて、少なくともカソード電極の表面を弗化物ガラスで被覆したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 B ,  H05H 1/46 M
Fターム (18件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA24 ,  4K030BA40 ,  4K030FA03 ,  4K030KA14 ,  4K030KA30 ,  4K030KA47 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045BB03 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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