特許
J-GLOBAL ID：200903022440063208

単結晶基板

発明者：
川嵜 克己

川嵜 克己 について

, 
大井戸 敦

大井戸 敦 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-296020
公開番号（公開出願番号）：特開平10-139596
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：
【要約】【課題】 割れなどの発生のない厚膜状のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を、液相エピタキシャル成長により形成させるための単結晶基板を提供する。【解決手段】 一般式M<SP>1</SP><SB>x</SB>M<SP>2</SP><SB>y</SB>M<SP>3</SP><SB>z</SB>O<SB>12</SB>(式中のM<SP>1</SP>はCa、Sr、Cd及びMnの中から選ばれた少なくとも1種の金属、M<SP>2</SP>はNb、Ta及びSbの中から選ばれた少なくとも1種の金属、M<SP>3</SP>はGa、Al、Fe、Ge、Si及びVの中から選ばれた少なくとも1種の金属であり、x、y及びzは以下に示す範囲の数である。2.9<x<3.11.6<y<1.83.1<z<3.3)で表わされる組成を有する単結晶基板とする。
請求項（抜粋）：
ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長させるための基板であって、一般式M<SP>1</SP><SB>x</SB>M<SP>2</SP><SB>y</SB>M<SP>3</SP><SB>z</SB>O<SB>12</SB>(式中のM<SP>1</SP>はCa、Sr、Cd及びMnの中から選ばれた少なくとも1種の金属、M<SP>2</SP>はNb、Ta及びSbの中から選ばれた少なくとも1種の金属、M<SP>3</SP>はGa、Al、Fe、Ge、Si及びVの中から選ばれた少なくとも1種の金属であり、x、y及びzは以下に示す範囲の数である。2.9<x<3.11.6<y<1.83.1<z<3.3)で表わされる組成を有することを特徴とする単結晶基板。
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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