特許
J-GLOBAL ID:200903022442535492

光電素子および該光電素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-302606
公開番号(公開出願番号):特開平11-195794
出願日: 1998年10月23日
公開日(公表日): 1999年07月21日
要約:
【要約】【課題】 光電構成素子、例えばSMT光構成素子(SMT=Surface Mouted Technologir)と、その製造方法を提供することであり、この方法により構成素子の構造寸法がさらに小さくなり、構造形式が異なっていても安価な製造が可能になるようにする。【解決手段】 電極端子は、ソケット部材(4)の外側表面に析出され、構造化された薄い被覆部(16)によって構成されている。
請求項(抜粋):
ビーム受信半導体チップ(1)またはビーム照射半導体チップ(1)を有する光電素子であって、前記チップはソケット部材(4)に取り付け固定されており、少なくとも2つの電極端子(2,3)と接続しており、該電極端子は、導電端子材料からなり、前記光電素子の電気接触接続に用いられ、ソケット部材(4)の外側表面に形成されている形式の光電素子において、前記電極端子は、ソケット部材(4)の外側表面に析出され、構造化された薄い被覆部(16)によって構成されている、ことを特徴とする光電素子。
引用特許:
審査官引用 (3件)

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