特許
J-GLOBAL ID：200903022455593750
半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-346702
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162416
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【目的】 珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して、高い特性を有する薄膜トランジスタを得る。【構成】 101と102の領域、さらに108〜110の領域において、非晶質珪素膜103の表面に選択的にニッケル元素を添加する。そして加熱処理を行うことにより、104〜107で示されるような基板に平行な成長(横成長)を行わせる。この際、幅を5μm以下とした領域108〜110がストッパー領域となり、101と102からの横成長がそこで停止する。このようにすることで、横成長領域を制御して設けることができる。そして、シフトレジスタ等の回路を同一の結晶成長形態を有した領域でもって構成することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成され、前記基板に平行または概略平行な方向に結晶成長した領域を利用して少なくとも一つの機能を有する電子回路が形成されており、前記領域は同一の結晶成長形態を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 27/12
, H01L 21/336
H01L 29/78 612 B
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 627 G
