特許
J-GLOBAL ID：200903050634485484

半導体装置およびその製造方法

発明者：
牧田 直樹

牧田 直樹 について

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宮本 忠芳

宮本 忠芳 について

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香西 孝真

香西 孝真 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-090356
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297125
出願日： 1994年04月27日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 TFTを効率よく横方向結晶成長領域に作製し、キャリアの高移動度の実現による高性能で安定した特性のTFTを、基板全面に亘って形成することができ、更に、結晶化に必要な時間を短縮することができる半導体装置、およびその製造方法を提供する。【構成】 結晶化を助長する触媒元素を選択導入して加熱することにより基板と平行に結晶成長させた結晶性ケイ素膜を利用して薄膜トランジスタを構成する半導体装置およびその製造方法において、図10における距離aを120μm以下、あるいは距離bを30μm以上、あるいは距離cを120μm以上、あるいは距離dを5μm以上とする。また、一つの触媒元素添加領域から成長した横方向結晶成長結晶性ケイ素膜を利用して、複数の薄膜トランジスタを形成する。
請求項（抜粋）：
結晶性を有するケイ素膜を利用してチャネル領域が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置であって、前記チャネル領域は、非晶質ケイ素膜の結晶化を助長する触媒元素を選択的に線状に導入し、予め定めるアニール温度による加熱処理により、前記触媒元素が選択的に導入された線状領域の周辺部において、基板表面に平行に結晶成長させた結晶性ケイ素膜により形成されたものであって、前記チャネル領域が、前記触媒元素の導入領域から、該アニール温度で結晶性ケイ素膜が形成される範囲内に配置されている半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
引用特許：
審査官引用 (3件)

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