特許

J-GLOBAL ID：200903022517260303

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 山田 敦史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-194783
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045889
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 低接触抵抗で平坦性が良く、高温でも接触抵抗が劣化しないオーミック電極を有する化合物半導体装置及びその製造方法を提供し、化合物半導体集積回路の信頼性向上及び製造コストの低減を図る。【解決手段】 化合物半導体装置のオーミック電極形成工程において、GaAs基板にNi薄膜とTi薄膜を順次堆積し、加熱処理によって金属間化合物を生成させることにより熱的に安定で、均一な特性を有するオーミック電極を形成する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上にオーミック電極を有する化合物半導体装置において、前記オーミック電極は、少なくともニッケルとチタンからなる金属間化合物で構成されることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 29/46 R ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• p型化合物半導体用オーミック電極及びそれを用いたバイポーラトランジスタ、並びにそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-045836   出願人：松下電器産業株式会社